Sprache 
Mit der rasanten Entwicklung von New Energy Vehicles, netzgekoppelten Energiespeichersystemen und Hochleistungs-
Industrieantrieben vollzieht sich bei Leistungshalbleitern ein allmählicher Übergang von traditionellen IGBTs zur SiC-Technologie.
Der chinesische Hersteller RUILIN Semiconductor hat kürzlich ein neues 800V 1200A SiC-Leistungsmodul vorgestellt. Dieses
Produkt verwendet ein fortschrittliches PHD-Gehäuse und erreicht einen ultra-niedrigen Durchlasswiderstand von 2mΩ, was es für
Anwendungen mit hoher Leistungsdichte besonders vorteilhaft macht. Es hat die Validierung bei einem Großkunden erfolgreich
bestanden und befindet sich bereits in der Massenproduktion.
Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Leistungsmodulen bieten SiC-Module klare Vorteile in Bezug auf Effizienz,
Schaltgeschwindigkeit und Systemgröße. Auch Hersteller wie Infineon Technologies, ROHM Semiconductor und Wolfspeed
treiben derzeit die Einführung von SiC-Modulen in Hochspannungs- und Hochstromanwendungen kontinuierlich voran.
PHD-Gehäuse: Entwickelt für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte
Das kürzlich von RUILIN SEMI vorgestellte SiC-Modul verwendet das PHD-Gehäuse, ein Design, das sowohl hinsichtlich des
Wärmemanagements als auch der elektrischen Leistung optimiert wurde.
Zu den Hauptvorteilen des PHD-Gehäuses gehören:
Geringere parasitäre Induktivität
Höhere Stromtragfähigkeit
Optimierter Wärmeableitungspfad
Kompaktere Systemstruktur
Bei Hochleistungs-Wechselrichteranwendungen hat das Gehäusedesign direkten Einfluss auf die Effizienz und Zuverlässigkeit des
Systems. Das PHD-Gehäuse ermöglicht einen stabilen Betrieb selbst unter hohen Strombelastungen, indem es die Strompfade und die
Wärmeableitungsstrukturen optimiert.
Effizienzsteigerung durch den 2mΩ-Durchlasswiderstand
Unter den kritischen Parametern von SiC-Modulen ist der Durchlasswiderstand (Rds(on)) eine Schlüsselgröße, die die Systemeffizienz
beeinflusst.Der Durchlasswiderstand dieses 800V 1200A SiC-Moduls von RUILIN beträgt nur 2mΩ (Automotive-PHD-Gehäuse),
wodurch die Leitungsverluste unter Hochstrombedingungen deutlich reduziert werden.
Dieser Vorteil ist besonders in den folgenden Anwendungsszenarien relevant:
Hauptantriebswechselrichter für New Energy Vehicles
Bidirektionale Energiespeicher-PCS
Hochleistungs-Industrieantriebssysteme
Photovoltaik-Wechselrichter
In diesen Systemen bedeutet jede Reduzierung der Verlustleistung eine höhere Systemeffizienz und geringere Kühlanforderungen.
Falls Sie die Leistungsunterschiede verschiedener SiC-Module in Hochstromanwendungen verstehen möchten, lesen Sie unsere zuvor
veröffentlichte technische Analyse: Vergleichende Analyse des SiC-Leistungsmoduls RL800N1200A!
Fokussiert auf New Energy Vehicles und Energiespeichersysteme
Da sich die 800V-Hochspannungsplattform zunehmend zum Trend bei der Entwicklung von New Energy Vehicles entwickelt,
nimmt der Einsatz von SiC-Modulen in Hauptantriebswechselrichtern rasant zu.
Hochstrom-SiC-Module helfen Fahrzeugsystemen, Folgendes zu erreichen:
Höhere Wechselrichter-Effizienz
Kleinere Abmessungen des Leistungsmoduls
Leichtere elektrische Antriebssysteme
Gleichzeitig setzen auch Hochleistungs-PCS-Geräte in Energiespeichersystemen zunehmend auf SiC-Module, um die Leistungsdichte
und die Gesamteffizienz zu steigern.
RUILIN treibt die SiC-Leistungsmodul-Technologie weiter voran
Mit der zunehmenden Reife der SiC-Lieferkette werden Hochstrom-Leistungsmodule zu einem entscheidenden Bestandteil zukünftiger
Leistungselektroniksysteme. RUILIN wird seine technologischen Investitionen in Hochleistungs-SiC-Module, fortschrittliche
Gehäusetechnologien und hocheffiziente Leistungswandlerlösungen fortsetzen.
Die Markteinführung dieses 800V 1200A SiC-Moduls erweitert nicht nur die SiC-Produktpalette des Unternehmens, sondern bietet auch
eine neue Hochstromlösung für New Energy Vehicles, Energiespeichersysteme und industrielle leistungselektronische Anwendungen,
um eine sicherere redundante Auslegung der Kundenprodukte zu gewährleisten.
