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Im Vergleich zu IGBT-Modulen bieten SiC-MOSFETs schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Schaltverluste und eine höhere Temperaturbeständigkeit, was zu einer höheren Systemeffizienz führt.
Im Vergleich zu IGBT-Modulen bieten SiC-MOSFETs schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Schaltverluste und eine höhere Temperaturbeständigkeit, was zu einer höheren Systemeffizienz führt.
