Par rapport aux modules IGBT, les MOSFET SiC offrent une vitesse de commutation plus rapide, des pertes de commutation plus faibles et une meilleure tolérance à la température, permettant ainsi une efficacité système plus élevée.
Par rapport aux modules IGBT, les MOSFET SiC offrent une vitesse de commutation plus rapide, des pertes de commutation plus faibles et une meilleure tolérance à la température, permettant ainsi une efficacité système plus élevée.