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Mit der rasanten Entwicklung von New-Energy-Fahrzeugen, netzgekoppelten Energiespeichersystemen und Hochleistungs-Industrieantrieben vollzieht sich bei Leistungshalbleiterbauelementen ein allmählicher Übergang von traditionellen IGBTs zur SiC-Technologie. Kürzlich hat der inländische Hersteller Ruilin Semiconductor
RUILIN SEMI ein brandneues 800V 1200A SiC-Leistungsmodul vorgestellt. Dieses Produkt verwendet eine fortschrittliche PHD-Gehäusestruktur und erreicht einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand von 2mΩ, was in Anwendungen mit hoher Leistungsdichte
deutliche Vorteile zeigt. Es hat bereits die Validierung bei einem großen Hersteller bestanden und wird nun in Serie produziert.
Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Leistungsmodulen bieten SiC-Module deutliche Vorteile in Bezug auf Effizienz, Schaltgeschwindigkeit und Systemvolumen. Derzeit treiben auch Hersteller wie
Infineon Technologies, ROHM Semiconductor, Wolfspeed und Onsemi die Einführung von SiC-Modulen in Hochspannungs- und Hochstromanwendungen voran.
PHD-Gehäuse: Entwickelt für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte
Das von RUILIN SEMI vorgestellte SiC-Modul verwendet die PHD-Gehäusestruktur, die hinsichtlich Wärmemanagement und elektrischer Leistung optimiert wurde.
Zu den Hauptvorteilen des PHD-Gehäuses gehören:
Niedrigere parasitäre Induktivität
Höhere Stromtragfähigkeit
Optimiertes Wärmeableitungsdesign
Kompaktere Systemstruktur
In Hochleistungs-Wechselrichteranwendungen beeinflusst das Gehäusedesign oft direkt die Systemeffizienz und -zuverlässigkeit. Das PHD-Gehäuse optimiert den Strompfad und die Wärmeableitungsstruktur, sodass das Modul auch unter hohen Strombelastungen stabil arbeiten kann.
Effizienzsteigerung durch 2mΩ Einschaltwiderstand
Bei den Schlüsselparametern von SiC-Modulen ist der **Einschaltwiderstand (Rds(on))** ein wichtiger Indikator für die Systemeffizienz.
Dieses 800V 1200A SiC-Modul von RUILIN hat einen Einschaltwiderstand von nur 2mΩ, PHD-Automobilstandard-Gehäuse, und kann unter hohen Strombelastungen die Leitungsverluste deutlich reduzieren.
Für die folgenden Anwendungsszenarien ist dieser Vorteil besonders deutlich:
Hauptantriebswechselrichter für neue Energiefahrzeuge
Bidirektionaler Wandler für Energiespeicher-PCS
Hochleistungs-Industrieantriebssysteme
Photovoltaik-Wechselrichter
In diesen Systemen bedeutet jede Reduzierung der Leistungsverluste eine höhere Systemeffizienz und geringeren Kühlbedarf.
Wenn Sie die Leistungsunterschiede verschiedener SiC-Module in Hochstromanwendungen verstehen möchten, lesen Sie unseren zuvor veröffentlichten technischen Analyseartikel RL800N1200A SiC-Leistungsmodul-Vergleichsanalyse!
Für neue Energiefahrzeuge und Energiespeichersysteme
Mit der zunehmenden Entwicklung von 800V-Hochspannungsplattformen als Trend bei neuen Energiefahrzeugen nimmt der Einsatz von SiC-Modulen in Hauptantriebswechselrichtern rapide zu.
Hochstrom-SiC-Module können Fahrzeugsystemen Folgendes ermöglichen:
Höhere Wechselrichtereffizienz
Kompaktere Leistungsmodul-Bauweise
Leichtere elektrische Antriebssysteme
Gleichzeitig werden in Energiespeichersystemen zunehmend SiC-Module in leistungsstarken PCS-Geräten eingesetzt, um die Systemleistungsdichte und Gesamteffizienz zu steigern.
RUILIN treibt die SiC-Leistungsmodultechnologie kontinuierlich voran
Mit der zunehmenden Reife der SiC-Lieferkette werden Hochstrom-Leistungsmodule zu einem wichtigen Bestandteil zukünftiger Leistungselektroniksysteme. RUILIN wird sich weiterhin auf Hochleistungs-SiC-Module, fortschrittliche Verpackungstechnologien und Hochleistungs-
Technische Investitionen in effiziente Leistungswandlerlösungen.
Das heute vorgestellte 800V 1200A SiC-Modul erweitert nicht nur die SiC-Produktlinie des Unternehmens, sondern bietet auch neue Hochstromlösungen für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme und industrielle Leistungselektronikanwendungen.
Gewährleistung einer sichereren redundanten Auslegung der Kundenprodukte.
