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LPDDR4-Auswahlhilfe: Teilenummer und Benennungsregeln erklärt
Zeit:2025-12-09 Aufrufe:

LPDDR4-Auswahlhilfe: Teilenummer und Benennungsregeln erklärt -Samunsg, SK Hynix, Micron


Viele Kunden und Forschungs- und Entwicklungsteams haben Schwierigkeiten, Teilenummern und Namenskonventionen für verschiedene Speicherprodukte zu unterscheiden. Ich habe die auf dem Markt erhältlichen Speicherkomponenten als Referenz für Hardware-Ingenieure und Digital-Enthusiasten zusammengestellt.

Bei Smartphones, Tablets und Geräten mit geringem Stromverbrauch hat sich das LPDDR4 SDRAM dank seiner hohen Bandbreite und seines geringen Stromverbrauchs zur Mainstream-Lösung entwickelt. Komplexe Schemata zur Benennung von Teilenummern von Anbietern wie Samsung, Micron und SK Hynix verwirren jedoch häufig Nutzer und Praktiker.

Dieser Artikel enthält eine ausführliche Aufschlüsselung der LPDDR4-Benennungsregeln, der herstellerspezifischen technischen Merkmale und der praktischen Richtlinien für die Komponentenauswahl für sechs große Hersteller. Er wird Ihnen helfen, die zugrunde liegende Logik zu beherrschen und schnell praktische Fähigkeiten für die Teileauswahl aufzubauen.


1. Samsung

Als weltweit führender Anbieter auf dem DRAM-Markt beginnen die LPDDR4-Komponenten von Samsung mit dem Präfix K4F, das ein 16-Zeichen-Kodierungsschema aufweist. Die wichtigsten Regeln sind im Folgenden definiert:

LPDDR4-Auswahlhilfe: Teilenummer und Benennungsregeln erklärt(Image1)


Die ersten drei Zeichen:

K4: DRAM die Kennung

F: Steht für LPDDR4X SDRAM

4. - 5. Zeichen: Dichteanzeige. Beispiel:

6E: 16 Gb, 8K / 32 ms

6. bis 7. Zeichen: Datenbusbreite. 3s bezeichnet zum Beispiel eine 32-Bit-Schnittstelle.

8. Zeichen: Bankkonfiguration; die Ziffer 4 steht für ein 8-Bank-Design.

9. Zeichen: Spezifikation der Schnittstellenspannung.

10. Zeichen: Kennung der Produktgeneration.

Suffix-Codes:

M: Pakettyp (z. B. FBGA)

G: Temperatur- und Leistungsklasse

CJ: Leistungsklasse und Chargencode


2. Mikron

Micron LPDDR4-Teile verwenden den MT53E
 Präfix, exklusiv für den LPDDR4-Standard gebaut. Beispiel-Teilenummer: MT53E512M32D2NP - 046 WT: E

LPDDR4-Auswahlhilfe: Teilenummer und Benennungsregeln erklärt(Image2)


MT53E: Kennung der LPDDR4-Familie und Betriebsspannungsklasse

512M: 512 Mb pro Die (entspricht 64 MB)

32: 32-Bit-Datenbreite

D2: Adressierungsschema und Zählung der Matrizen (D2 = 2-Matrizenkonfiguration)

DS: Paketcode; DS bezieht sich auf ein 300-Kugel-WFBGA-Gehäuse

046: Timing-Parameter; 046 entspricht 468 ps bei 2133 MHz (effektive Datenrate von 4266 Mbit / s)

WT: E: Verpackungsort und Chargencode (WT bezeichnet die Verpackungseinrichtung in Taiwan)


3. SK Hynix

SK Hynix LPDDR4-Matrizen beginnen mit der Kennung H9. Beispiel-Teilenummer: H9HC4GXXXXX

LPDDR4-Auswahlhilfe: Teilenummer und Benennungsregeln erklärt(Image3)


H5: DRAM-Produktlinienmarker

TC4G: 4 Gb Dichte (TC = Mobile LPDDR4)

63C: 32-Bit-Busbreite (interner Herstellercode)

FR: Frequenz- und Timing-Bin; FR entspricht 1600 MHz mit 14-14-14 Timings

PBA: FBGA-Paket- und Batch-Kennung

Bewertung der Leistung:

CJR (H5AN8G8NCJR): Hohe Kompatibilität für allgemeine Konstruktionen

DJR (H5ANAG6NCJR): Bessere Overclocking-Kopffreiheit für leistungsorientierte Anwendungen


4. Fragen Sie

Nanya LPDDR4-Komponenten tragen NT6 oder NT5 als führendes Präfix. Beispiel: NT6CL512T32BP-H1

LPDDR4-Auswahlhilfe: Teilenummer und Benennungsregeln erklärt(Image4)


NT6: LPDDR4-Produktfamilie

CL: Verbraucherqualität; IL steht für Industriequalität

512T: 512 Mb Würfeldichte

32: 32-Bit-Busbreite

BP - H1: Gehäuse und Geschwindigkeitsbehälter (H1 = 1600 MHz)

Marktpositionierung: Nanya DRAM bietet kosteneffiziente Leistung mit begrenzter Übertaktungsfähigkeit, geeignet für kostensensible Einstiegsgeräte.


5. CXMT (ChangXin-Speichertechnologien)

Als Chinas heimischer DRAM-Flaggschiff-Anbieter beginnen CXMT LPDDR4-Teile mit dem Präfix CX. Beispiel: CXDB5CCAM-ML

LPDDR4-Auswahlhilfe: Teilenummer und Benennungsregeln erklärt(Image5)


CX: Proprietärer CXMT-Marker

DB: DRAM LPDDR4X Bezeichnung

5: Dichteangabe: 32 Gb

C: Gehäusetyp, 200-Kugel FBGA

C: Speicherkonfiguration: 32-Bit, Zweikanal, 2-Chip-Auswahl

Suffix L: Geschwindigkeitscode (z. B. 2133 MHz / 4266 Mbps)

Wichtige Vorteile: Wettbewerbsfähige Preise und stabile Lieferkette, qualifiziert von den wichtigsten OEM-Geräteherstellern.


6. Kioxia

Für Kioxia (ehemals Toshiba Storage) LPDDR4-Speichergeräte sind keine gültigen öffentlichen Datenblattinformationen verfügbar.

Schlussfolgerung

Das Verständnis der Namenskonventionen ist wie die Beschaffung eines "Auswahlchiffrierbuchs". Unabhängig davon, ob Sie sich für Samsung D-Die für ultimative Leistung oder für einheimische CXMT-Komponenten für lokale Versorgungsdesigns entscheiden, die richtige Speicherauswahl maximiert Ihr Hardwarepotenzial. In Zukunft werden sich LPDDR5X und LPDDR6 auf dem Markt durchsetzen und sich diese Kodierungsregeln weiterentwickeln - dennoch bleiben die grundlegenden Bewertungskriterien unverändert: Dichte, Bandbreite und Zuverlässigkeit bilden das ewige Leistungsdreieck.


Hinweis

Bestimmte Teilenummern können herstellerspezifische Sonderanfertigungen enthalten. Die endgültigen Spezifikationen entnehmen Sie immer dem offiziellen Datenblatt.

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