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Ruiling lanza módulo de potencia SiC de 800V 1200A con encapsulado PHD logrando resistencia ultrabaja de 2mΩ
Tiempo:2025-10-20 Vistas:

  RUILIN SEMI lanza un nuevo módulo de potencia SiC de 800V 1200A con 

encapsulado PHD para vehículos de nueva energía y almacenamiento de energía

Impulsado por el crecimiento explosivo de los vehículos de nueva energía, el almacenamiento de energía a 

escala de red y los equipos de accionamiento industrial de alta potencia, la industria de semiconductores de

 potencia está experimentando un cambio masivo de los IGBT de silicio convencionales a las soluciones de

 carburo de silicio (SiC). El fabricante nacional de semiconductores RUILIN SEMI ha lanzado oficialmente su

 nuevo módulo de potencia SiC de 800V 1200A. Este producto adopta un diseño de encapsulado PHD 

avanzado y ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 2mΩ, mostrando un rendimiento excepcional

 en escenarios de alta densidad de potencia. El módulo ha completado la validación completa del cliente y

 ha entrado en producción en masa en un importante fabricante de equipos de primer nivel.

En comparación con los módulos de potencia de silicio tradicionales, los módulos SiC ofrecen ventajas 

competitivas evidentes en eficiencia de conversión, velocidad de conmutación y miniaturización del sistema. 

Los principales proveedores mundiales de semiconductores, incluidos Infineon, ROHM, Wolfspeed y onsemi, 

también están impulsando enérgicamente la comercialización de módulos SiC para aplicaciones de

 conversión de potencia de alto voltaje y alta corriente.

  

      Encapsulado PHD: Optimizado para densidad de potencia ultraalta

El nuevo módulo de potencia SiC de RUILIN SEMI utiliza una estructura de encapsulado PHD dedicada, 

completamente optimizada para la disipación térmica y el rendimiento dinámico eléctrico.

Ventajas principales del encapsulado PHD:

Inductancia parásita minimizada dentro del bucle de potencia

Capacidad de conducción de corriente continua mejorada

Disposición optimizada del canal de conducción térmica en capas

Permite un diseño mecánico general del sistema más compacto

En equipos inversores de alta potencia, la arquitectura de empaquetado determina directamente la eficiencia

 del sistema a largo plazo y la confiabilidad operativa. El empaque PHD acorta las rutas de corriente internas 

y optimiza el enrutamiento de disipación de calor, permitiendo que el módulo SiC mantenga una operación 

estable y consistente bajo cargas de corriente continua pesadas.

  

        Resistencia de encendido ultrabaja de 2mΩ ofrece notables ganancias de eficiencia

Entre todos los parámetros eléctricos de los módulos de potencia SiC, la resistencia de encendido (Rds(on)) 

es una métrica central que dicta directamente la pérdida total de potencia del sistema.

El módulo SiC de 800V 1200A de RUILIN logra una Rds(on) ultrabaja de 2mΩ combinada con empaquetado

 PHD calificado para automoción, reduciendo drásticamente la pérdida por conducción en condiciones de 

operación de alta corriente.

Esta ventaja de rendimiento crea valor tangible para los siguientes sectores verticales principales:

Inversores de tracción principales para vehículos de nueva energía

Sistemas de conversión de potencia bidireccional (PCS) para estaciones de almacenamiento de energía

Sistemas de accionamiento de frecuencia variable industrial de alta potencia

Inversores fotovoltaicos conectados a la red

Para todos estos dispositivos, cada reducción en la pérdida de potencia se traduce en una mayor eficiencia 

energética general y subsistemas de refrigeración más pequeños y ligeros.

Para una evaluación comparativa en profundidad del rendimiento del módulo SiC en condiciones de alta 

corriente, consulte nuestro informe técnico anterior: Análisis comparativo del módulo de potencia SiC RL800N1200A.

  

         Compatibilidad perfecta con plataformas de alto voltaje de 800 V para vehículos eléctricos de nueva 

energía (NEV) y sistemas de almacenamiento de energía

La arquitectura de alto voltaje de 800 V se ha convertido en una tendencia principal irreversible para los vehículos 

comerciales y de pasajeros de nueva energía, impulsando la rápida penetración de los módulos de potencia SiC en

 los inversores de tracción principales de los vehículos.

Los módulos SiC de alta corriente aportan tres mejoras principales a los trenes motrices de vehículos eléctricos:

Mayor eficiencia de conversión de energía del inversor

Dimensiones generales reducidas de los conjuntos electrónicos de potencia

 Menor peso para todo el sistema de accionamiento eléctrico

 Mientras tanto, las centrales de almacenamiento de energía implementan ampliamente convertidores PCS de alta 

capacidad, donde los módulos SiC ayudan a aumentar la densidad de potencia del sistema y la eficiencia energética 

de ida y vuelta.

  

       RUILIN SEMI Continúa Invirtiendo Profundamente en Tecnología de Módulos SiC de Alta Potencia

     A medida que la cadena de suministro industrial de SiC nacional madura, los módulos de potencia de alta 

corriente se han convertido en un bloque de construcción central indispensable para el hardware electrónico de 

potencia

 de próxima generación. RUILIN SEMI mantendrá su enfoque en la inversión en I+D en diseño de chips SiC de 

alta potencia, procesos avanzados de empaquetado y soluciones de sistemas de conversión de potencia de alta

 eficiencia.

     

       El módulo de potencia SiC de 800V 1200A recién lanzado enriquece aún más la cartera completa de productos

 SiC de la empresa, y proporciona una nueva opción de dispositivo de potencia de alta corriente para fabricantes de 

equipos originales que desarrollan vehículos de nueva energía, almacenamiento de energía en red y equipos de 

conversión de potencia industrial, al mismo tiempo que apoya a los clientes para implementar esquemas de diseño 

de hardware redundante más seguros para productos finales.


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