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グローバル顧客から信頼されるチップサプライチェーンパートナーへ
睿霖、800V 1200A SiCパワーモジュールを発表、PHDパッケージで2mΩの超低オン抵抗を実現
時間:2026-06-20 閲覧数:

      随着新能源汽车、电网级储能系统以及高功率工业驱动的快速发展,功率半导体器件正在从传统IGBT逐渐向SiC技术过渡。 近期,国产厂商睿霖半导体
RUILIN SEMI推出了一款全新的 800V 1200A SiC功率模块,该产品采用先进的 PHD封装结构,并实现了 2mΩ超低导通电阻,在高功率密度应用中展现
出显著优势,并成功进入某大厂通过验证并完成量产。
相比传统硅基功率模块,SiC模块在效率、开关速度以及系统体积方面具有明显优势。当前包括 
Infineon Technologies、ROHM Semiconductor 和 Wolfspeed、Onsemi 等厂商也在持续推动SiC模块在高压大电流应用中的落地。

 

PHD封装:为高功率密度应用而设计

RUILIN SEMI此次推出的SiC模块采用 PHD封装结构,该封装在热管理和电气性能方面进行了优化。

PHD封装的主要优势包括:

  • 更低的寄生电感

  • 更高的电流承载能力

  • より優れた放熱経路設計

  • よりコンパクトなシステム構造

高電力インバーターアプリケーションにおいて、パッケージ設計はシステム効率と信頼性に直接影響を与えることが多いです。PHDパッケージは電流経路と放熱構造を最適化することで、モジュールが高電流条件下でも安定した動作を維持できるようにします。

 

2mΩのオン抵抗による効率向上

SiCモジュールの重要なパラメータの中で、**オン抵抗(Rds(on))**はシステム効率に影響を与える重要な指標の一つです。

RUILINのこの800V 1200A SiCモジュールは、オン抵抗が2mΩまで低く、PHD車規格パッケージを採用しており、高電流動作条件下でオン損失を大幅に低減できます。

以下のアプリケーションシナリオにおいて、この優位性は特に顕著です:

  • 新エネルギー車の主駆動インバーター

  • 蓄電PCS双方向変換器

  • 大電力産業用駆動システム

  • 太陽光インバーター

これらのシステムでは、電力損失を少しでも低減することが、より高いシステム効率とより小さな放熱要件を意味します。

異なるSiCモジュールの高電流アプリケーションにおける性能差について詳しく知りたい場合は、以前公開した技術分析記事「RL800N1200A SiCパワーモジュール比較分析」をご参照ください!

 

新エネルギー車と蓄電システム向け

800V高電圧プラットフォームが新エネルギー車のトレンドとなるにつれ、SiCモジュールの主駆動インバーターへの応用が急速に増加しています。

高電流SiCモジュールは、車両システム全体で以下を実現できます:

  • より高いインバータ効率

  • より小さなパワーモジュール体積

  • より軽量な電動駆動システム

また、蓄電システムにおいて、大容量PCS機器にもSiCモジュールがますます採用され、システムの電力密度と全体効率が向上しています。

 

RUILINはSiCパワーモジュール技術を継続的に推進

SiCサプライチェーンが徐々に成熟するにつれ、大電流パワーモジュールは将来のパワーエレクトロニクスシステムの重要な構成要素になりつつあります。RUILINは、高出力SiCモジュール、先進的なパッケージング技術、および高

効率パワー変換ソリューションへの技術投資を行っています。

今回発表された800V 1200A SiCモジュールは、同社のSiC製品ラインをさらに拡大するだけでなく、電気自動車、エネルギー貯蔵システム、産業用パワーエレクトロニクスアプリケーション向けに新たな大電流ソリューションを提供します。

お客様の製品に、より安全な冗長設計を提供します。

 

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