1 Introdução
Com o desenvolvimento de plataformas de veículos elétricos de 800V, PCS de armazenamento de energia e inversores industriais de alta potência, os módulos de potência SiC de 1200V tornaram-se componentes centrais para sistemas eletrônicos de potência eficientes.
Em comparação com os módulos IGBT tradicionais, os MOSFETs SiC oferecem as seguintes vantagens:
Maior tensão de bloqueio
Menores perdas de comutação
Maior frequência de comutação
Maior densidade de potência
Menor necessidade de dissipação de calor do sistema
Os principais fornecedores globais de módulos SiC incluem:
Infineon Technologies
罗姆半导体
沃尔夫斯皮
昂塞米
同时,中国厂商RUILIN SEMI应客户要求,也推出了用于高功率逆变系统的1200V 800A SiC功率模块。与国际大厂性能对比如下:

2 1200V SiC模块的典型应用
1200V SiC模块主要用于以下系统:
Inversor de tração para veículos elétricos:
A demanda de potência para plataformas de veículos elétricos de 800V geralmente fica entre 150 kW e 500 kW.PCS de armazenamento de energia:
Potência típica do PCS: 250 kW, 500 kW, 1 MW.Acionamento de motores industriais:
Faixa de potência de 100 kW a 800 kW.Inversor solar/eólico:
Alta eficiência (>98%).
3 Parâmetros-chave de seleção
| Parâmetros | Importância |
|---|---|
| Tensão de bloqueio | Margem de segurança da tensão do sistema |
| Corrente contínua | Capacidade de potência do sistema |
| Resistência de condução Rds(on) | Perda de condução |
| Perda de comutação | Eficiência em alta frequência |
| Resistência térmica | Projeto de dissipação de calor |
| Tipo de encapsulamento | Integração mecânica do sistema |
Comparação do mercado de módulos SiC de 4 1200V
Abaixo está a comparação dos principais módulos SiC atuais:
| Marca | Modelos Típicos | Tensão | Corrente | Encapsulamento | Aplicação |
|---|---|---|---|---|---|
| Ruiling Banshan | RL800N1200A | 1200V | 800A | HPD | Veículos Elétricos/Armazenamento de Energia |
| Infineon | FS03MR12A6MA1 | 1200V | 400-600A | Embalagem Híbrida | Veículos Elétricos |
| 罗姆 | BSM600D12P4G | 1200V | 600A | 半桥 | 工业 |
| 沃尔夫斯皮 | XM3平台 | 1200V | 450-700A | 半桥 | Veículos Elétricos |
| 昂塞米 | Módulos EliteSiC | 1200V | 300-500A | 半桥 | 工业 |
Pode-se observar que os módulos SiC de classe 800A ainda são relativamente raros, pertencendo a produtos de plataforma de alta potência.
5 Visão geral do módulo SiC 1200V 800A da RUILIN SEMI
O módulo de potência SiC RL800N1200A lançado pela RUILIN possui as seguintes características:
Alta capacidade de corrente:
Corrente nominal de 800A, adequado para veículos elétricos pesados, PCS de alta potência e inversores industriais.Alta eficiência:
A tecnologia SiC MOSFET permite menores perdas de comutação e maior frequência de comutação, com eficiência do sistema superior a 98%.Operação em alta temperatura:
Temperatura máxima de junção de 175°C, oferecendo maior confiabilidade e design de resfriamento mais simples.
Capacidade de potência do sistema 6
Sob condição de barramento CC de 800V, a potência do sistema é aproximadamente:
| Corrente do módulo | Potência do inversor |
|---|---|
| 400A | ~320 kW |
| 600A | ~480 kW |
| 800A | ~640 kW |
Portanto, o módulo SiC de 800A é mais adequado para:
Caminhões elétricos
Caminhões a hidrogênio
Grandes PCS de armazenamento de energia
7 Estrutura de encapsulamento
Encapsulamentos comuns para módulos SiC de 1200V:
半桥:
优点:设计灵活,易于并联。六单元封装:
优点:逆变器系统紧凑。
RUILIN SEMI采用高电流HPD模块结构,适用于高功率逆变器设计。
8 高电流SiC模块的优势
Módulo de alta corrente oferece as seguintes vantagens:
Maior densidade de potência:
Reduz o número de módulos necessários.Menor custo do sistema:
Reduz barramentos, componentes de refrigeração e drivers de porta.Simplifica o design do inversor:
Sistema mais compacto.

9 Conclusão
Com o desenvolvimento de veículos elétricos de 800V e sistemas de armazenamento de energia, os módulos de potência SiC de 1200V estão se tornando os principais dispositivos de potência.
Em comparação com módulos de 600A tradicionais:
O RUILIN SEMI RL800N1200A oferece maior capacidade de corrente e maior potência do sistema.
Aplicável para:
Inversor de tração para veículos elétricos
PCS de armazenamento de energia
Acionamento industrial de alta potência
Dados técnicos principais
Parâmetros:
Valor/EspecificaçãoModelo:
RL800N1200ATensão de Bloqueio (V
DSS
):1200 VCorrente Contínua (I
D
):800 AResistência de condução R
DS (ligado)
:Perda de comutação (E
Ligado/Desligado
):Muito baixa (tecnologia SiC)Temperatura máxima de junção T
j, max
:175 °C封装:
HPD,高电流型拓扑结构:
半桥/可配置应用:
电动汽车牵引、储能PCS、工业驱动系统功率(800V直流下):
~640千瓦Vantagens:
Maior densidade de potência, menor custo do sistema, design simplificado
Módulos SiC de alta corrente serão uma solução importante para os próximos sistemas de eletrônica de potência de alta potência.
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