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En comparación con los módulos IGBT, los MOSFET de SiC ofrecen velocidades de conmutación más rápidas, menores pérdidas de conmutación y mayor tolerancia a la temperatura, logrando así una mayor eficiencia del sistema.
En comparación con los módulos IGBT, los MOSFET de SiC ofrecen velocidades de conmutación más rápidas, menores pérdidas de conmutación y mayor tolerancia a la temperatura, logrando así una mayor eficiencia del sistema.
