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Rispetto ai moduli IGBT, i MOSFET SiC offrono velocità di commutazione più elevate, minori perdite di commutazione e una maggiore tolleranza alle temperature, raggiungendo così una maggiore efficienza del sistema.
Rispetto ai moduli IGBT, i MOSFET SiC offrono velocità di commutazione più elevate, minori perdite di commutazione e una maggiore tolleranza alle temperature, raggiungendo così una maggiore efficienza del sistema.
