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Par rapport aux modules IGBT, les MOSFET SiC offrent des vitesses de commutation plus rapides, des pertes de commutation
plus faibles et une tolérance à des températures plus élevées, permettant ainsi d'atteindre une efficacité système supérieure.
Par rapport aux modules IGBT, les MOSFET SiC offrent des vitesses de commutation plus rapides, des pertes de commutation
plus faibles et une tolérance à des températures plus élevées, permettant ainsi d'atteindre une efficacité système supérieure.
